Sistema de grabado ICP de alta densidad diseñado para el grabado seco de precisión de óxidos, nitruros, metales y materiales semiconductores compuestos. La arquitectura de doble cámara reduce la exposición atmosférica mientras admite procesos de fabricación de semiconductores estables y repetibles.
| Modelo | FR-G200 (ICP) |
| Tipo de Proceso | Grabado seco por Plasma Acoplado Inductivamente (ICP) |
| Configuración de la Cámara | Cámara de prevacío (carga) y de reacción (proceso) |
| Fuentes de Alimentación | RF en el electrodo inferior y generador RF inductivo para excitación del plasma |
| Sistema de Vacío | Bombas y controles de vacío integrados para bombeo rápido y presión base estable |
| Control de Gases | Suministro de gases de proceso multicanal con control de flujo másico |
| Sistema de Refrigeración | Enfriador integrado para control de temperatura de la cámara y componentes |
| Control de Relleno / He | Control de helio en la parte posterior para gestión térmica de la oblea |
| Software y Control | Software de recetas de proceso con interfaz de operador y soporte de automatización |
| Materiales Soportados | Si, SiO₂, SiC, poli-Si, compuestos III-V, metales y otros materiales semiconductores comunes |
El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Las especies de plasma energético interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes bajo condiciones de vacío controladas.
Los iones reactivos y radicales descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes de la superficie mediante reacciones químicas controladas.
Los productos de la reacción se convierten en compuestos volátiles y entran en la fase gaseosa.
Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacúan, dejando una superficie de material limpia y activada.
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Rogatus ad ultimum admissusque in consistorium ambage nulla praegressa inconsiderate
