Grabador por Acoplamiento Inductivo ICP

El grabador de plasma por acoplamiento inductivo ICP integra fuentes de RF duales para proporcionar un grabado controlado y de alta uniformidad en materiales dieléctricos, metálicos y semiconductores compuestos. La configuración de doble cámara mejora el control de contaminación y admite una operación estable en entornos de fabricación de semiconductores.

Plasma de alta densidad para un grabado rápido y uniforme.
Potencia de RF dual para un control preciso de la energía iónica.
Las cámaras de prevacío y reacción reducen la contaminación.

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Especificaciones Técnicas

Tipo de Plasma	Plasma de Acoplamiento Inductivo (ICP)
Fuentes de RF	Generador de RF inductivo para plasma + generador de polarización de sustrato RF
Configuración de la Cámara	Cámara de prevacío y cámara de reacción para control de contaminación
Componentes Principales	Cámara de reacción, electrodos superior e inferior, fuentes de RF, sistema de vacío, control de gases, sistema de enfriamiento, control de helio trasero, software de control
Gases de Proceso	Suministro de gas configurable para químicas basadas en flúor, cloro y oxígeno
Sistema de Enfriamiento	Refrigeración de circuito cerrado para estabilidad térmica de la oblea y el sistema
Control de Helio Trasero	Relleno y control de He integrados para conducción térmica y sujeción
Control y Software	Gestión de recetas, monitoreo de procesos, interfaz de operador y soporte de automatización
Materiales Objetivo	Óxidos, nitruros, metales y semiconductores compuestos III-V (ej., SiO₂, Si₃N₄, Al, GaAs)

Características Clave

Generación de Plasma Inductivo de Alta Densidad

Utiliza acoplamiento inductivo con potencia de RF dual para mantener una densidad de plasma estable y un rendimiento de grabado consistente en una amplia gama de materiales semiconductores.
Sistema de Control de Potencia de RF Dual

Las fuentes de alimentación de RF independientes para el sustrato y la bobina inductiva permiten un control preciso sobre la energía iónica y la densidad del plasma, lo que posibilita un control exacto de la energía iónica y las condiciones del plasma para un procesamiento de semiconductores estable y repetible.
Control de contaminación de doble cámara

Las cámaras de prevacío y reacción minimizan la exposición a contaminantes ambientales y aceleran la transferencia de obleas, mejorando el rendimiento y la seguridad del operador, mientras mantienen un entorno limpio para procesos de alto rendimiento.
Gestión térmica de helio en la parte posterior

El control integrado de helio en la parte posterior y un sistema de enfriamiento activo mantienen la uniformidad de temperatura de la oblea durante ciclos largos de grabado, evitando la deriva térmica y asegurando un control estable de la temperatura de la oblea y un rendimiento de procesamiento consistente en todos los lotes de producción.
Manejo integral de gases de proceso

El suministro, medición y control avanzados de gases admiten una amplia gama de químicas de grabado con alta estabilidad, lo que permite un desarrollo de procesos flexible desde el patrón dieléctrico hasta el grabado de metales y III-V.
Software intuitivo y automatización

El software de control fácil de usar con gestión de recetas, monitoreo de procesos e interfaces de automatización agiliza la configuración, reduce la variabilidad del operador y admite la integración en sistemas MES y de automatización de fábricas.

Proceso de limpieza con plasma

Generación de plasma

El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Interacción Plasma-Superficie

Las especies de plasma energéticas interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes bajo condiciones de vacío controladas.
Reacción Química

Los iones y radicales reactivos descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes de la superficie mediante reacciones químicas controladas.
Volatilización

Los productos de la reacción se convierten en compuestos volátiles y pasan a la fase gaseosa.
Eliminación de la Superficie

Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.