Sistema PECVD de Doble Cámara FR-G800

El sistema PECVD FR-G800 es una plataforma CVD mejorada por plasma de doble cámara diseñada para la deposición a baja temperatura de películas delgadas dieléctricas y ópticas. Admite obleas de 2 a 8 pulgadas y proporciona un control de proceso estable tanto para entornos de I+D como de producción.

Deposición de películas delgadas dieléctricas y ópticas de alta calidad
Configuración de doble cámara para rendimiento y aislamiento del proceso
Amplio soporte de obleas (2–8") y rango de proceso de 100–400°C

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Especificaciones Técnicas

Tipo de Proceso	PECVD (Deposición Química de Vapor Mejorada por Plasma)
Modelo	FR-G800
Configuración de Cámara	Doble cámara
Rango de Temperatura	100–400 °C
Tamaños de Oblea Soportados	2, 3, 4, 6, 8 pulgadas
Métodos de Descarga	DC / AC / RF / Microondas / ECR
Materiales Depositados Típicos	Películas delgadas dieléctricas y ópticas (p. ej., SiOx, SiNx, materiales de baja constante dieléctrica)
Aplicaciones Principales	Semiconductores, fotónica, fotovoltaica, dispositivos biomédicos

Características Clave

Deposición PECVD de Baja Temperatura en Doble Cámara

Un diseño de doble cámara permite el procesamiento en paralelo y el aislamiento entre las cámaras de carga/descarga y proceso, lo que posibilita un rendimiento continuo mientras se mantiene la deposición a baja temperatura para sustratos térmicamente sensibles.
Compatibilidad Versátil con Tamaños de Oblea

Admite múltiples tamaños de oblea (2, 3, 4, 6, 8 pulgadas) para adaptarse a lotes de I+D y producción de pequeña a mediana en diversos flujos de trabajo de fabricación de semiconductores y fotónica.
Películas Dieléctricas y Ópticas de Alta Calidad

Diseñado para recubrimientos dieléctricos y ópticos densos y con bajos defectos, el sistema produce películas con espesor, uniformidad y propiedades de material controlados, adecuados para dispositivos fotónicos, pasivación y encapsulación.
Control integral de plasma y uniformidad

Múltiples métodos de descarga (RF, microondas, ECR, DC/AC) y control preciso del proceso proporcionan condiciones de plasma uniformes para una estequiometría de película repetible, control de espesor y baja defectividad en todo el sustrato.
Bajo presupuesto térmico, alto rendimiento de adhesión

La capacidad de proceso a baja temperatura minimiza el estrés térmico en sustratos y componentes, manteniendo la densidad de la película y la estabilidad estructural para sustratos sensibles a la temperatura y apilamientos de capas complejos.
Diseño escalable para diversas industrias

La arquitectura modular de doble cámara y las recetas de proceso adaptables admiten aplicaciones en semiconductores, fotovoltaica, dispositivos biomédicos y óptica avanzada con escalabilidad directa.

Proceso de limpieza con plasma

Generación de plasma

El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Interacción plasma-superficie

Las especies de plasma energético interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes en condiciones de vacío controladas.
Reacción química

Los iones reactivos y los radicales descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes superficiales mediante reacciones químicas controladas.
Volatilización

Los productos de reacción se convierten en compuestos volátiles y pasan a la fase gaseosa.
Eliminación de la superficie

Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.