Sistema de película delgada PECVD PE-200 | Fari Plasma

Equipo de Plasma para Semiconductores

Sistema de Película Delgada PECVD PE-200

El sistema PECVD PE-200 proporciona deposición química de vapor mejorada por plasma uniforme para películas dieléctricas y ópticas de alta calidad. Admite obleas de 2 a 8 pulgadas y procesa a 100–400 °C para I+D y producción.

  • Películas dieléctricas de alta calidad
  • Rango de proceso de 100–400 °C
  • Admite obleas de 2 a 8 pulgadas

Especificaciones Técnicas

Proceso Deposición PECVD
Modelo PE-200
Rango de Temperatura 100–400 °C
Tamaños de Oblea 2, 3, 4, 6, 8 pulgadas

Características Clave

  • Deposición Dieléctrica de Alta Calidad

    El PE-200 permite la deposición de películas dieléctricas y ópticas densas y uniformes con baja densidad de defectos y excelentes propiedades eléctricas, asegurando propiedades de película consistentes, control de espesor y estabilidad del proceso en aplicaciones semiconductoras y optoelectrónicas.

  • Soporte Flexible de Tamaños de Oblea

    Diseñado para manejar obleas de 2 a 8 pulgadas, el sistema ofrece configuraciones de proceso flexibles adecuadas para I+D, producción piloto y fabricación de pequeño volumen, minimizando el tiempo de inactividad durante los cambios.

  • Amplio Rango de Temperatura de Operación

    Con una ventana de procesamiento de 100–400 °C, el sistema se adapta a una amplia gama de químicas precursoras y materiales de sustrato, permitiendo procesos PECVD tanto a baja como a alta temperatura para diversos requisitos de película.

  • Control Preciso y Estabilidad del Proceso

    El control avanzado sobre la potencia de RF, el flujo de gas y el entorno de la cámara asegura condiciones de plasma estables y espesor y composición de película repetibles, reduciendo la variabilidad del proceso y mejorando la consistencia del rendimiento.

  • Capacidad de Aplicación en Múltiples Industrias

    Admite la deposición de películas delgadas para la fabricación de semiconductores, dispositivos fotovoltaicos y ópticos, incluyendo capas de pasivación, recubrimientos dieléctricos y películas antirreflectantes. El PE-200 ofrece una calidad de película estable que cumple con los estrictos requisitos de rendimiento y fiabilidad de la industria.

  • Diseño de sistema integrable compacto

    Diseñado con una huella compacta y una interfaz fácil de usar, el PE-200 es fácil de integrar en entornos de laboratorio o fabricación, simplificando la instalación, operación y mantenimiento rutinario para una implementación rápida.

Proceso de limpieza por plasma

  • Generación de plasma

    El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.

  • Interacción plasma-superficie

    Las especies de plasma energético interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes bajo condiciones de vacío controladas.

  • Reacción química

    Los iones y radicales reactivos descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes de la superficie mediante reacciones químicas controladas.

  • Volatilización

    Los productos de la reacción se convierten en compuestos volátiles y entran en la fase gaseosa.

  • Eliminación de la superficie

    Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.