Sistema de Deposición PECVD de una sola cámara

Sistema PECVD de una sola cámara para deposición mejorada por plasma a baja temperatura de SiO2 y películas delgadas dieléctricas. Optimizado para capas densas y de alta calidad utilizadas en semiconductores, fotovoltaica y fotónica.

Deposición a baja temperatura para sustratos sensibles a la temperatura
Deposición de películas dieléctricas y SiO2 de alta calidad
Diseño de una sola cámara con opciones de plasma RF/Microondas/ECR

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Especificaciones Técnicas

Proceso	Deposición Química de Vapor Asistida por Plasma (PECVD)
Tipo de Película	SiO2 y otras películas delgadas dieléctricas
Rango de Temperatura	200-400 °C
Configuración de la Cámara	Una sola cámara
Fuentes de Plasma	DC/AC, RF, Microondas, Resonancia Ciclotrónica de Electrones (ECR)
Aplicaciones Principales	Semiconductores, fotovoltaica, optoelectrónica, biomédica

Características Clave

Deposición a Baja Temperatura para Sustratos Sensibles

Permite la deposición a temperaturas reducidas (típicamente 200–400 °C), minimizando el estrés térmico en los sustratos y permitiendo el procesamiento de materiales sensibles a la temperatura mientras se mantiene la calidad de la película.
Alta Calidad de Película y Control de Uniformidad

Proporciona películas dieléctricas y de SiO2 densas y uniformes con estequiometría controlada y bajos defectos, mejorando el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo en sustratos y obleas grandes.
Química de Gases Versátil y Flexibilidad de Proceso

Admite una amplia gama de gases precursores y recetas de proceso para adaptar la composición de la película, el índice de refracción y las propiedades eléctricas para diversas aplicaciones, desde óptica hasta microelectrónica.
Diseño de Sistema Modular de una sola cámara

La arquitectura compacta de una sola cámara simplifica la integración, reduce la huella y el riesgo de contaminación, y permite un rendimiento eficiente para entornos de I+D y producción piloto.
Control Preciso del Espesor y la Tasa de Deposición

Ofrece un control preciso de la tasa de deposición y el espesor de la película mediante la gestión optimizada de la potencia RF/microondas y el flujo de gas, garantizando apilamientos de película delgada repetibles y tolerancias críticas de capa.
Densidad de Película Mejorada y Estabilidad Estructural

La deposición asistida por plasma promueve la formación de películas densas y una estructura de material estable, respaldando el rendimiento del dispositivo a largo plazo.

Proceso de Limpieza por Plasma

Generación de Plasma

El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Interacción Plasma-Superficie

Las especies de plasma energéticas interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes en condiciones de vacío controladas.
Reacción Química

Los iones y radicales reactivos descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes de la superficie mediante reacciones químicas controladas.
Volatilización

Los productos de la reacción se convierten en compuestos volátiles y entran en la fase gaseosa.
Eliminación de la Superficie

Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.