Grabador RIE de Doble Cámara FR-G800

El Grabador RIE de Doble Cámara FR-G800 está diseñado para grabado iónico reactivo de alta precisión en la fabricación de semiconductores. Proporciona grabado anisotrópico estable para obleas de 2″ a 8″ con temperatura controlada y consistencia en el proceso.

Grabado anisotrópico de alta precisión para patrones finos
Diseño de doble cámara para mayor rendimiento
Amplio rango de control de temperatura: -20°C a 100°C

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Especificaciones Técnicas

Modelo	FR-G800 (RIE)
Tipo de Proceso	Grabado Iónico Reactivo (RIE)
Cámaras	Configuración de doble cámara
Rango de Temperatura	-20°C a 100°C
Tamaños de Oblea Soportados	2, 3, 4, 6, 8 pulgadas

Características Clave

Grabado Anisotrópico de Precisión para Microlitografía

Proporciona alta anisotropía y resolución a nanoescala para la transferencia de patrones en obleas semiconductoras, garantizando un rendimiento de grabado estable y una definición consistente de características en diferentes tipos de obleas y condiciones de proceso.
Alta Selectividad y Uniformidad de Grabado

La química de plasma optimizada y el control del proceso aseguran una fuerte selectividad de materiales y tasas de grabado uniformes en toda la oblea.
Diseño de Doble Cámara para Alto Rendimiento

Dos cámaras independientes permiten procesamiento en paralelo o intercambio rápido de cassettes, aumentando el rendimiento mientras se mantiene el aislamiento del proceso y condiciones estables en la cámara.
Amplio Rango de Control de Temperatura

El control integrado de temperatura de la oblea de -20°C a 100°C admite diversos requisitos de proceso, permitiendo condiciones de grabado estables para materiales sensibles a la temperatura.
Soporta Múltiples Tamaños de Oblea

El hardware flexible admite obleas de 2, 3, 4, 6 y 8 pulgadas, simplificando la integración en líneas de producción mixtas y entornos de I+D sin necesidad de reconfiguración extensa.
Interfaz HMI fácil de usar y mantenimiento sencillo

Una interfaz de control intuitiva y una disposición modular de componentes simplifican la gestión de recetas, el diagnóstico y el mantenimiento rutinario, reduciendo el tiempo de inactividad y los requisitos de formación del operador.

Proceso de Limpieza por Plasma

Generación de Plasma

El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Interacción Plasma–Superficie

Las especies de plasma energético interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes en condiciones de vacío controladas.
Reacción Química

Los iones y radicales reactivos descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes de la superficie mediante reacciones químicas controladas.
Volatilización

Los productos de la reacción se convierten en compuestos volátiles y entran en la fase gaseosa.
Eliminación de la Superficie

Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.