Limpiador de Plasma en Línea para Lead Frame | Fari Plasma

Equipo de Plasma para Semiconductores

Limpiador de Plasma en Línea para Lead Frame

Sistema de plasma compacto en línea diseñado para el procesamiento de lead frames y LED frames. Permite una preparación controlada de superficies para metales, plásticos y vidrio mediante un proceso seco estable y eficiente energéticamente.

  • Modificación Solo Superficial. Preserva las propiedades del sustrato.
  • Amplia Compatibilidad de Materiales. Metales, plásticos, vidrio y polímeros.
  • Proceso Seco y Ecológico. Bajo consumo de gas, sin químicos ni aguas residuales.

Especificaciones Técnicas

Voltaje CA 220V 50Hz
Potencia de Plasma 600 W
Volumen de la Cámara de Vacío 30 L
Líneas de Gas Controladores de flujo másico de 2 canales
Presión de Gas 0.6 MPa
Rendimiento 320 piezas/h (4 magazines)
Dimensiones (L×A×H) 1900 × 1100 × 1800 mm
Tasa de Utilización 95%
Rango de Temperatura de Operación -10 °C a 50 °C

Características Clave

  • Tecnología de Modificación Solo Superficial

    El tratamiento con plasma actúa solo en la capa superficial más externa, mejorando la preparación de la superficie para procesos posteriores, mientras preserva la integridad mecánica, eléctrica y química del sustrato.

  • Amplio Rango de Compatibilidad de Materiales

    Adecuado para metales, plásticos (PP, PE, PET, PC, PVC, PTFE), vidrio y varios polímeros, compatible con la preparación de superficies antes de recubrimiento, impresión, unión y enchapado en una amplia gama de materiales.

  • Procesamiento de Vacío de Alto Rendimiento

    Equipado con una cámara de vacío de 30 L y manejo automatizado que ofrece hasta 320 piezas por hora (4 magazines), diseñado para operación continua en línea y rendimientos de producción estables.

  • Operación de Ahorro de Energía y Ecológica

    El proceso de plasma seco y de bajo consumo de gas elimina agentes químicos y aguas residuales, reduciendo los costos operativos y el impacto ambiental, manteniendo condiciones de proceso consistentes y repetibles.

  • Control Preciso de Gas y Potencia

    La fuente de plasma de 600 W combinada con control de flujo másico de 2 canales proporciona parámetros de proceso repetibles y un control estricto sobre la composición del gas y la potencia de descarga para un tratamiento superficial consistente.

  • Operación e Integración Fáciles de Usar

    Proceso simple y controlable con alta disponibilidad (95% de utilización), integración directa en líneas de producción y rango operativo adecuado para entornos de fábrica típicos (-10 °C a 50 °C).

Proceso de Limpieza por Plasma

  • Generación de Plasma

    El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.

  • Interacción Plasma-Superficie

    Las especies de plasma energéticas interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes en condiciones de vacío controladas.

  • Reacción Química

    Los iones y radicales reactivos descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes superficiales mediante reacciones químicas controladas.

  • Volatilización

    Los productos de reacción se convierten en compuestos volátiles y entran en la fase gaseosa.

  • Eliminación de la Superficie

    Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.