SD-300 Decapador de Fotorresistencia ICP

El SD-300 es un decapador de fotorresistencia basado en ICP diseñado para la eliminación eficiente de resistencias y limpieza de residuos en la fabricación de semiconductores, empaquetado avanzado y pantallas. Ofrece operación ecológica, control de proceso flexible y alta uniformidad para una producción confiable.

Eliminación de fotorresistencia ICP de alta eficiencia.
Amplia compatibilidad con obleas (2", 4", 6", 8").
Cenizamiento a alta temperatura hasta 250°C.

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Especificaciones Técnicas

Modelo	SD-300
Fuente de Plasma	RF 13.56 MHz
Potencia RF	2 kW
Compatibilidad de Obleas	2, 4, 6, 8 pulgadas
Procesamiento por Lotes	Multi-oblea (procesamiento multi-oblea solo para obleas de 2" y 4")
Dimensiones	673 × 1455 × 1695 mm (L × A × Al)
Configuración de Cámara	Cámara de carga + cámara de proceso
Rango de Temperatura de Proceso	50–250 °C
Uniformidad	≤5% (exclusión de borde 10 mm, medición de 5 puntos, Max-Min/(2*media))
Eliminación de Resistencia a Baja Temperatura	Temperatura de proceso ≤90 °C, tasa de eliminación 50–100 nm/min, uniformidad ≤5%, prueba de espesor en 5 áreas
Cenizamiento a Alta Temperatura	Temperatura de proceso ≤250 °C, tasa de eliminación 3000–5000 nm/min, uniformidad ≤5%, prueba de espesor en 5 áreas
Sistema de Control	Sistema FR (FangRui)
Nivel de Automatización	Manual a semiautomático
Enfriador	Enfriamiento de electrodo FR-600A-H

Características Clave

Fuente de Plasma Acoplado Inductivamente

Utiliza una fuente de plasma acoplado inductivamente de 13.56 MHz para generar un plasma estable de alta densidad para el decapado de fotorresistencia a alta velocidad y la eliminación precisa de residuos en procesos de semiconductores.
Alta Potencia de Salida RF

Proporciona hasta 2 kW de potencia RF para permitir velocidades rápidas de incineración y eliminación en un amplio rango de temperaturas, admitiendo tanto procesos de eliminación de fotorresistencia a baja temperatura como procesos de incineración a alta temperatura y alta velocidad.
Amplia compatibilidad con obleas

Admite obleas de 2, 4, 6 y 8 pulgadas con manejo de múltiples obleas para diámetros más pequeños, permitiendo una producción flexible desde investigación hasta fabricación piloto y en volumen para varios tipos de dispositivos.
Capacidad de incineración a alta temperatura

Capaz de incineración a alta temperatura de hasta 250 °C con tasas de eliminación de 3000–5000 nm/min, ofreciendo un alto rendimiento para fotorresistencias difíciles mientras mantiene la uniformidad del proceso y la integridad del dispositivo.
Control preciso de temperatura

El rango de control de temperatura del proceso de 50–250 °C asegura una química y perfiles térmicos consistentes en todas las obleas, garantizando condiciones de proceso estables, tasas de eliminación consistentes y un rendimiento uniforme a nivel de oblea.
Automatización integrada del proceso

Equipado con un sistema de control FR y modos de operación manual a semiautomático, la unidad admite flujos de trabajo amigables para el operador e integración en líneas de producción automatizadas cuando sea necesario.

Proceso de limpieza por plasma

Generación de plasma

El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Interacción plasma–superficie

Las especies de plasma energético interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes bajo condiciones de vacío controladas.
Reacción química

Los iones reactivos y radicales descomponen los residuos orgánicos y contaminantes superficiales mediante reacciones químicas controladas.
Volatilización

Los productos de la reacción se convierten en compuestos volátiles y pasan a la fase gaseosa.
Eliminación de la superficie

Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.