El sistema de grabado de doble cámara ICP FR-G800 genera plasma inductivo de alta densidad para el grabado preciso de silicio, óxidos, materiales III-V y metales. Una estructura de aislamiento de carga permite la transferencia segura de obleas, mientras que el control flexible de gas y RF respalda tanto procesos de investigación como de producción.
| Configuración de la Cámara | Pre-vacío (carga) y cámara de reacción (doble cámara) |
| Generación de Plasma | Plasma inductivo (ICP) combinado con RF de polarización en el electrodo inferior |
| Manejo de Obleas | Transferencia automatizada de obleas entre la cámara de pre-vacío y la de reacción |
| Sistema de Vacío | Sistemas integrados de bombeo de alto vacío y control |
| Suministro de Gas | Sistema de control de gas de proceso multicanal con control de flujo másico |
| Enfriamiento | Sistema de enfriamiento de proceso integrado para control térmico estable |
| Control del Lado Posterior | Control de enfriamiento posterior con helio para temperatura y uniformidad de la oblea |
| Software y Controles | Software de operador con gestión de recetas de proceso y monitoreo |
| Materiales Procesados | Silicio, óxido/nitruro de silicio, metales, compuestos III-V, polisilicio, sustratos MEMS |
El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Las especies de plasma energético interactúan con moléculas superficiales y contaminantes bajo condiciones de vacío controladas.
Los iones reactivos y radicales descomponen residuos orgánicos y contaminantes superficiales mediante reacciones químicas controladas.
Los productos de reacción se convierten en compuestos volátiles y entran en la fase gaseosa.
Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y son evacuados, dejando una superficie de material limpia y activada.
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Rogatus ad ultimum admissusque in consistorium ambage nulla praegressa inconsiderate
