Sistema de deposición de doble cámara ICP-CVD de alta densidad diseñado para el crecimiento de películas delgadas de SiN, SiO₂ y a-Si. La plataforma admite deposición uniforme y repetible para la fabricación de semiconductores, fotovoltaicos y materiales avanzados.
| Tipo de Sistema | Deposición Química de Vapor por Plasma Acoplado Inductivamente (ICP-CVD) |
| Configuración | Diseño de doble cámara para procesamiento paralelo y mayor rendimiento |
| Películas Objetivo | Nitruro de silicio (SiN), dióxido de silicio (SiO2), silicio amorfo (a-Si) y depósitos compuestos |
| Componentes Principales | Cámaras de reacción, sistema de vacío, sistema de suministro de gases, fuente de alimentación RF y sistema de control integrado |
| Fuente de Plasma | Excitación RF inductiva que produce plasma de alta densidad y abundantes especies reactivas |
| Funciones Principales | Deposición de películas delgadas y crecimiento de materiales compuestos mediante procesos controlados de deposición química de vapor asistida por plasma. |
El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Las especies de plasma energéticas interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes en condiciones de vacío controladas.
Los iones y radicales reactivos descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes de la superficie mediante reacciones químicas controladas.
Los productos de la reacción se convierten en compuestos volátiles y entran en la fase gaseosa.
Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.
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Rogatus ad ultimum admissusque in consistorium ambage nulla praegressa inconsiderate
