Sistema de Eliminación de Residuos por Plasma ICP

El sistema de eliminación de residuos por plasma PD-200 ICP integra una fuente de RF de 13.56 MHz (hasta 2 kW) para la eliminación controlada de fotorresina y residuos en procesos de semiconductores. Admite el manejo de múltiples obleas, control preciso de temperatura hasta 250°C y uniformidad ≤5% para un rendimiento de producción estable.

Plasma de RF de alta potencia a 13.56 MHz para incineración rápida
Control de temperatura de 50 a 250°C para procesos versátiles
Manejo de múltiples obleas para rendimiento de obleas de 2/4"

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Especificaciones Técnicas

Modelo	PD-200
Fuente de Plasma	RF 13.56 MHz
Potencia de RF	2 kW
Tamaños de Oblea Aplicables	2", 4", 6", 8"
Manejo por Lotes	Múltiples obleas (solo para obleas de 2" y 4")
Dimensiones (L×A×A)	673 × 1455 × 1695 mm
Configuración de la Cámara	Cámara de transferencia + cámara de proceso
Control de Temperatura del Proceso	50–250 °C
Uniformidad	≤5% (borde excluido 10 mm, medición de 5 puntos)
Eliminación de PR por Plasma	≤90 °C; 50–100 nm/min; uniformidad ≤5% (prueba de 5 regiones)
Incineración a Alta Temperatura	≤250 °C; 3000–5000 nm/min; uniformidad ≤5% (prueba de 5 regiones)
Control del Sistema	Sistema de control FR (sistema FR / FangRui)
Nivel de Automatización	Manual + semiautomático
Enfriamiento de Electrodo / Enfriador	Enfriamiento de electrodo FR-600A-H

Características Clave

Fuente de Plasma de RF de Alta Potencia

El PD-200 cuenta con una fuente de plasma de RF de 13.56 MHz que proporciona hasta 2 kW de potencia, lo que permite una eliminación de residuos estable y controlable en condiciones de limpieza a baja temperatura y procesos a alta temperatura.
Control de Proceso de Amplio Rango de Temperatura

El control de temperatura integrado abarca de 50 a 250 °C, lo que permite una amplia gama de procesos controlados por temperatura con un rendimiento estable y resultados repetibles en diferentes requisitos de producción.
Alto rendimiento de múltiples obleas

Diseñado para el procesamiento de múltiples obleas (2" y 4"), el PD-200 aumenta el rendimiento para la producción de diámetro pequeño, manteniendo la uniformidad del proceso y una variación mínima de ciclo a ciclo.
Uniformidad y repetibilidad superiores

La uniformidad del proceso se controla estrictamente a ≤5 % (medido en 5 puntos, excluyendo el borde), lo que garantiza una consistencia estable del proceso y una salida confiable en ciclos de producción repetidos.
Arquitectura de transferencia de doble cámara

El sistema utiliza una cámara de transferencia más una cámara de proceso dedicada para aislar los pasos de manipulación y proceso, reduciendo los riesgos de contaminación y mejorando la integración del proceso para entornos de fabricación.
Interfaz de control fácil de usar

Equipado con un sistema de control FR, el PD-200 proporciona operación intuitiva, gestión de recetas y flujos de trabajo semiautomatizados para agilizar las tareas del operador y minimizar los errores de configuración.

Proceso de limpieza por plasma

Generación de plasma

El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Interacción plasma-superficie

Las especies de plasma energético interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes bajo condiciones de vacío controladas.
Reacción química

Los iones reactivos y radicales descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes de la superficie mediante reacciones químicas controladas.
Volatilización

Los productos de la reacción se convierten en compuestos volátiles y entran en la fase gaseosa.
Eliminación de la superficie

Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.