Decapador de Plasma GD-20RF

El GD-20RF es un sistema de decapado por plasma de una sola cámara diseñado para la eliminación controlada de fotorresina y residuos secos en procesos de semiconductores y microfabricación. Proporciona una operación de plasma estable con control basado en recetas y química de gases configurable para soportar películas sensibles y estructuras de dispositivos complejas.

Decapado por plasma de grado de producción para una eliminación consistente de fotorresina con un rendimiento de proceso estable y repetible
Ventana de proceso controlada para soportar capas sensibles mientras se mantiene la eficiencia de eliminación
Operación PLC basada en recetas para estandarizar ejecuciones entre operadores y mejorar la trazabilidad
Fuerte capacidad en geometrías complejas donde los métodos húmedos pueden tener dificultades con la cobertura

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Especificaciones Técnicas

Modelo	GD-20RF
Tipo de Equipo	Decapador de Plasma
Cámara	Una sola cámara
Fuente de Plasma	Plasma RF
Gases de Proceso	O₂, N₂, Ar, CF₄, H₂, gases mezclados, personalizados
Potencia RF	Por determinar
Presión de Proceso	Por determinar
Control de Temperatura	Por determinar
Uniformidad	Por determinar
Sustratos Soportados	Por determinar
Sistema de Control	PLC y pantalla táctil
Servicios	Electricidad, aire comprimido, vacío, gas de proceso
Dimensiones del Equipo	Por determinar

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Características Clave

Eliminación de Fotorresina de Alta Tasa

Proporciona un rendimiento estable de decapado por plasma para la eliminación controlada de fotorresina dentro de flujos de trabajo estandarizados de procesos de semiconductores.
Limpieza Controlada para Películas Sensibles

Permite un control preciso de la ventana de proceso para proteger capas sensibles mientras se mantiene un rendimiento de eliminación consistente.
Operación PLC Basada en Recetas

Utiliza control PLC y pantalla táctil para la configuración de recetas, gestión de parámetros y resultados consistentes entre turnos.
Opciones flexibles de química de gases

Funciona con múltiples opciones de gases y recetas mixtas para adaptarse a diferentes tipos de resistencias, residuos y apilamientos de películas.
Mejor cobertura en estructuras complejas

Ayuda a tratar características 3D y geometrías difíciles donde el decapado húmedo puede sufrir limitaciones de difusión y humectación.
Proceso más limpio con menor uso de químicos

Utiliza un enfoque de proceso seco que puede reducir la dependencia de químicos húmedos y simplificar el manejo en muchas líneas.

Aplicación

Proceso de limpieza con plasma

Generación de plasma

El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Interacción plasma-superficie

Las especies de plasma energéticas interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes en condiciones de vacío controladas.
Reacción química

Los iones y radicales reactivos descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes de la superficie mediante reacciones químicas controladas.
Volatilización

Los productos de la reacción se convierten en compuestos volátiles y entran en la fase gaseosa.
Eliminación de la superficie

Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.