Grabador Iónico Reactivo RIE de Cámara Única

El sistema RIE de cámara única FR-G200 está diseñado para el grabado anisótropo en seco de silicio, SiN y SiO2, proporcionando un control de proceso estable y una transferencia de patrones consistente para aplicaciones de semiconductores, MEMS y microfabricación.

Grabado anisótropo de precisión para microfabricación.
Diseño compacto de cámara única para laboratorio y uso piloto.
Amplia compatibilidad de materiales y químicas adaptables.

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Especificaciones Técnicas

Modelo	FR-G200 (RIE)
Tecnología de Grabado	Grabado Iónico Reactivo (RIE)
Tipo de Cámara	Cámara única, configuración de placas paralelas
Materiales Soportados	Silicio (Si), Nitruro de Silicio (SiN), Dióxido de Silicio (SiO2) y películas semiconductoras comunes
Tamaño de Oblea / Sustrato	Hasta 200 mm
Potencia RF	Ajustable, 0–600 W
Frecuencia RF	13.56 MHz
Rango de Vacío	≈1x10^-3 a 1x10^-1 Torr (rango de proceso típico)
Gases de Proceso	CF4, SF6, O2, CHF3, Ar y otras químicas especializadas
Modo de Grabado	Grabado químico anisótropo asistido por iones
Interfaz de Control	Controlador de proceso digital con almacenamiento de recetas
Seguridad y Diagnóstico	Interbloqueos, monitoreo de plasma e indicadores de falla

Características Clave

Rendimiento de Grabado Anisótropo Controlado

Permite el grabado direccional asistido por iones con energía y trayectoria iónica controladas para una definición precisa de características en procesos de microfabricación.
Sistema Avanzado de Control de Procesos

La entrega integrada de potencia RF y el control avanzado de procesos permiten recetas repetibles, control preciso del punto final y condiciones de plasma estables, asegurando un rendimiento consistente de oblea a oblea para I+D y producción piloto.
Amplia compatibilidad de materiales

Admite el procesamiento de silicio, nitruro de silicio y dióxido de silicio con químicas de gas configurables y parámetros de proceso para diferentes requisitos de grabado.
Diseño compacto de una sola cámara

La configuración compacta de una sola cámara minimiza el espacio en el piso y simplifica el mantenimiento, mientras mantiene una integridad de vacío robusta y tiempos de bombeo rápidos adecuados para laboratorios y entornos de fabricación de pequeño volumen.
Excelente selectividad y rendimiento

Combina altas tasas de grabado con excelente selectividad entre materiales de máscara y sustrato, mejorando el rendimiento mientras mantiene un control de perfil estricto, verticalidad de las paredes laterales y baja microloading para características críticas.
Seguridad y diagnóstico robustos

Incluye enclavamientos de seguridad, monitoreo de plasma en tiempo real y retroalimentación de diagnóstico para facilitar la seguridad del operador, el aislamiento rápido de fallas y el mantenimiento predictivo, reduciendo el tiempo de inactividad y protegiendo los sustratos.

Proceso de limpieza por plasma

Generación de plasma

El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Interacción plasma-superficie

Las especies de plasma energéticas interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes bajo condiciones de vacío controladas.
Reacción química

Los iones reactivos y los radicales descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes superficiales mediante reacciones químicas controladas.
Volatilización

Los productos de reacción se convierten en compuestos volátiles y pasan a la fase gaseosa.
Eliminación de la Superficie

Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.