El Sistema de Decapado de Resina por Plasma RIE proporciona un procesamiento de plasma controlado y uniforme para la eliminación de fotorresina y la preparación de superficies en entornos de fabricación de semiconductores y avanzados.
| Tamaño de la Cámara | Ø200 mm de diámetro interno (aprox.) |
| Rango de Potencia RF | 0 – 300 W, ajustable digitalmente |
| Frecuencia RF | 13.56 MHz estándar |
| Gases de Proceso | O2, Ar, CF4, CHF3 (mezclas configurables) |
| Rango de Presión | 1 – 1000 mTorr (0.13 – 133 Pa) |
| Tamaño Máximo de Pieza | Hasta 200 mm de diámetro o equivalente |
| Tiempo de Ciclo Típico | Dependiente del proceso; típicamente 1 – 15 minutos |
| Control de Temperatura | Ambiente a 200 °C (calentador opcional) |
| Sistema de Control | PLC industrial con pantalla táctil a color |
| Requisitos de Alimentación | CA 220 V ±10%, 50/60 Hz, ~2 kVA |
| Dimensiones (An×Pr×Al) | 800 × 700 × 1400 mm (aprox.) |
| Peso | Aprox. 150 kg |
El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Las especies de plasma energéticas interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes bajo condiciones de vacío controladas.
Los iones reactivos y radicales descomponen residuos orgánicos y contaminantes superficiales mediante reacciones químicas controladas.
Los productos de reacción se convierten en compuestos volátiles y entran en la fase gaseosa.
Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.
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Rogatus ad ultimum admissusque in consistorium ambage nulla praegressa inconsiderate
