El sistema PE-200 RIE está diseñado para el grabado por iones reactivos de precisión en la fabricación de semiconductores. Admite el procesamiento controlado de silicio, SiN, SiO2 y microestructuras avanzadas con condiciones de plasma estables y rendimiento repetible.
| Modelo | PE-200 (RIE) |
| Método de Grabado | Grabado por Iones Reactivos (RIE) |
| Tamaño Máximo del Sustrato | Hasta obleas de 200 mm (configurable) |
| Potencia RF | Hasta 1000 W (ajustable) |
| Vacío Base | < 5 x 10^-3 Pa (típico) |
| Gases de Proceso | CF4, SF6, CHF3, O2, Ar y mezclas |
| Material de la Cámara | Acero inoxidable con revestimiento interior |
| Interfaz de Control | PLC con pantalla táctil (opcional) |
El gas de proceso se energiza y se convierte en un plasma reactivo que contiene iones, electrones y radicales.
Las especies de plasma energéticas interactúan con las moléculas de la superficie y los contaminantes en condiciones de vacío controladas.
Los iones y radicales reactivos descomponen los residuos orgánicos y los contaminantes de la superficie mediante reacciones químicas controladas.
Los productos de la reacción se convierten en compuestos volátiles y entran en la fase gaseosa.
Los subproductos gaseosos se desorben de la superficie y se evacuan, dejando una superficie de material limpia y activada.
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Rogatus ad ultimum admissusque in consistorium ambage nulla praegressa inconsiderate
